新华社北京１１月１０日电（记者周舟）中国科学家在最新一期美国《科学》杂志上发表报告说，已开发出一种新型相变材料，有望将电子产品的存储速度提高约７０倍左右。 相关成果由中科院上海微系统与信息技术研究所宋志棠团队取得。宋志棠等人利用含钪、锑、碲的合金材料制造出相变存储器单元（ＰＣＲＡＭ），这一新材料的写入速度可达７００皮秒（一皮秒相当于一万亿分之一秒）。目前可商用的相变存储器多使用锗、锑、碲合金材料，其写入速度极限约为５０纳秒左右（１纳秒等于１０００皮秒）。宋志棠接受新华社记者采访时说：“团队下一步准备将这种材料用于自主开发的６４兆、１２８兆存储芯片上，验证其大容量、高速应用的可行性，这有望大幅提高缓存速度，为中国自主开发先进存储器铺平道路。” |
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